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Inventory:6000 Min Order：10
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  • Model：2N7002R-02-7
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：K72
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 115mA/0.115A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 3.2Ω/Ohm @50mA,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 1-2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 300mW/0.3W
Description & Applications N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage Lead, Halogen and Antimony Free, RoHS Compliant "Green" Device Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
描述与应用 N沟道增强型场效应晶体管 特性 N沟道增强型场效应晶体管 低导通电阻 低栅极阈值电压 低输入电容 开关速度快 低输入/输出漏 铅，卤素和锑免费，符合RoHS标准 “绿色”设备 符合AEC-Q101高可靠性标准

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2N7002R-02-7
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