集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-40V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
−20V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
−150mA/-0.15A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
700MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
60~120 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
−200mV/-0.2V |
耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
PNP/NPN Epitaxial planar silicon transistors High-speed switching applications fast switching speed； high gain bandwidth product； low saturation voltage |
| 描述与应用 |
PNP/ NPN外延平面硅晶体管 高速开关应用 开关速度快; 高增益带宽积; 低饱和电压 |