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  • Model：2SB1132 T100P
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：1000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：BAP
  • Package：SOT-89/SC-62/MPT

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)		 -40V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)		 −32V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)		 -1A
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)		 150MHz
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)		 82~180
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage		 −500mV/-0.5V
耗散功率Pc
PoWer Dissipation		 500mW/0.5W
Description & Applications Medium Power Transistor Features 1) Low VCE(sat). 2)Complementary 2SD1664
描述与应用 中等功率晶体管 特点 1）低VCE（sat）的。 2）互补型2SD1664

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SB1132 T100P
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