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Inventory:7100 Min Order：10
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  • Model：2SB1220-R
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：IR
  • Package：SOT-323/SC-70

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)		-150V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)		−150V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)		-50mA
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)		 200MHz
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)		130~220
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage		-1000mV/-1V
耗散功率Pc
PoWer Dissipation		150mW/0.15W
Description & ApplicationsPNP Silicon epitaxial planar transistor For high breakdown voltage low-noise amplification Complementary to 2SD1821 Features High collector to emitter voltage VCEO. Low noise voltage NV. S-Mini type package
描述与应用PNP硅外延平面晶体管 对于高击穿电压低噪声放大 补充型2SD1821 特点 高集电极发射极电压VCEO。 低噪声电压NV。 S-迷你型封装

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SB1220-R
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