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  • Model：2SB1301
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：1000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：ZQ
  • Package：SOT-89/SC-62

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)		−20V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)		-16V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)		 -5A
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)		 140MHz
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)		200~400
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage		−500mV/-0.5V
耗散功率Pc
PoWer Dissipation		2W
Description & ApplicationsPNP Silicon epitaxial planar transistor Features 1) Low collector-to-emitter saturation voltage 2)Large current capacity and wide ASO 3) High hFE 4) Complements to 2SD1952.
描述与应用PNP硅外延平面晶体管 特点 1）低集电极 - 发射极饱和电压 2）大电流容量，广ASO 3）高hFE 4）补充型2SD1952。

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SB1301
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