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  • Model：2SC3649T
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：1000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：CET
  • Package：SOT-89/PCP

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)		180V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)		160V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)		1.5A
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)		120MHz
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)		200~400
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage		450mV/0.45V
耗散功率Pc
Power Dissipation		500mW/0.5W
Description & ApplicationsNPN epitaxial planar Silicon Transistors High-Voltage Switching applications High breakdown voltage and large current capacity Very small size making it easy to provide high-density. Complementary to 2SA1419
描述与应用NPN外延平面硅晶体管 高电压开关应用 高击穿电压和大电流的能力 非常小的尺寸使其易于提供高密度。 互补型2SA1455K

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SC3649T
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