集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
40V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
15V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
200mA/0.2A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
750MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
60~120 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
250mV/0.25V |
耗散功率Pc
Power Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
NPN Silicon Epitaxial Transistors Applications High speed switch Features High speed |
| 描述与应用 |
NPN硅外延晶体管 应用 高速开关 特点 高速 |