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  • Model：2SD1007
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：1000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：HR
  • Package：SOT-89

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)		 120V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)		 120V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)		 700mA/0.7A
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)		 90MHz
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)		 90~180
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage		 300mV/0.3V
耗散功率Pc
Power Dissipation		 2W
Description & Applications Silicon NPN epitaxial transistors description 2SD1007 is designed for audio frequency power amplifier application , especially in hybrid integrated circuits Features * high collector to emitter voltage * world standard miniature package
描述与应用 NPN硅外延晶体管 描述 2SD1007是专为音频功放中的应用， 特别是在混合集成电路  特点 *高集电极到发射极电压 *世界标准的微型封装

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* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SD1007
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