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  • Model：2SD1760TLQ
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+NOPB1370
  • Standard Package：2500
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：D1760
  • Package：TO-252/CPT3

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)		60V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)		50V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)		3A
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)		90MHz
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)		120~270
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage		500mV/0.5V
耗散功率Pc
Power Dissipation		1W
Description & Applicationsfeatures * Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.5V (Typ.) (IC / IB = 2A / 0.2A) structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor
描述与应用特点 *低VCE（SAT）。 VCE（饱和）= 0.5V （IC / IB=2A/0.2A） 结构 外延平面型 NPN硅晶体管

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* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SD1760TLQ
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