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Inventory:1800 Min Order：10
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  • Model：2SD2150 T100R
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+3rnopb 05+
  • Standard Package：1000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：CFR
  • Package：SOT-89/SC-62/MPT3

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)		 40V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)		 20V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)		 3A
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)		 290MHz
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)		 180~390
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage		 200mV/0.2V
耗散功率Pc
Power Dissipation		 500mW/0.5W
Description & Applications applications Low Frequency Transistor Features * Low VCE(sat). * VCE(sat) = 0.2V (Typ.) (IC / IB = 2A / 0.1A) * Excellent current gain characteristics. * Epitaxial planar type NPN silicon transistor
描述与应用 应用 低频晶体管 特点 *低VCE（SAT）。 * VCE（饱和）=0.2V （IC / IB=2A/0.1A） *优秀的电流增益特性。 *外延平面型硅NPN晶体管

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SD2150 T100R
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