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Inventory:20 Min Order：10
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  • Model：2SD2199R-TSD-DR
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：D2199
  • Package：SMP-FD

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)		60V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)		50V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)		7A
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)		10MHz
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)		100~200
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage		400mV/0.4V
耗散功率Pc
Power Dissipation		1.65W
Description & Applications*PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor *50V/7A switching applications *NPN Epitaxial planar silicon transistors *surface mount type device making the following possible *low collector to emitter saturation voltage *highly resistant to breakdown because of wide ASO
描述与应用*PNP/ NPN平面外延硅晶体管 *50V/7A开关应用 *以下可能的NPN外延平面硅晶体管 *表面贴装型器件 *集电极到发射极饱和电压低 *具有很高的耐击穿，因为宽ASO

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* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SD2199R-TSD-DR
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