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  • Model：2SD2351 T106W
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：10+ROHS 05NOPB
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：BJW
  • Package：SOT-323/SC-70/UMT3

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)		 60V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)		 50V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)		 150mA/0.15A
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)		 250MHz
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)		 1200~2700
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage		 300mV/0.3V
耗散功率Pc
Power Dissipation		 200mW/0.2W
Description & Applications General Purpose Transistor (50V, 0.15A) Features 1) High DC current gain. 2) High emitter-base voltage. (VCBO=12V) 3) Low saturation voltage. (Typ. VCE(sat)=0.3V at IC/IB=50mA/5mA)
描述与应用 通用晶体管（50V，0.15A） 特点 1）高DC电流增益。 2）高发射基地电压。 （VCBO12V） 3）低饱和电压。 （典型值VCE（sat）=0.3V IC / IB=50mA/5mA）

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SD2351 T106W
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