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Inventory:400 Min Order：10
Parameters
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Parameters：

  • Model：2SJ130
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：J130
  • Package：TO-252/DPAK

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-300V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		20V
最大漏极电流Id
Drain Current		-1A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		6.0Ω -500mA,-10V
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-2.0--4.0V
耗散功率Pd
Power Dissipation		20W
Description & ApplicationsSilicon P-Channel MOS FET High speed power switching applications Low on-resistance High speed switching Low drive current No secondary breakdown Suitable for switching regulator, DC-DC converter and ultrasonic power oscillators
描述与应用硅P沟道MOS FET 高速功率开关应用 低导通电阻 高速开关 低驱动电流 无二次击穿 适用于开关稳压器，DC-DC转换器的和超声功率振荡器

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* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SJ130
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