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Inventory:2990 Min Order：10
Parameters
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Parameters：

  • Model：2SJ185
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：H12
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-50V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		7V
最大漏极电流Id
Drain Current		-100mA/-0.1A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		13Ω -10mA,-4V
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-1.2--2.0V
耗散功率Pd
Power Dissipation		200mW/0.2W
Description & ApplicationsMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING Directly driven by ICs having a 3V power supply Not necessary to consider driving current because of its high input impedance Possible to reduce the number of parts by omitting the bias resistor Complementary to 2SK1399
描述与应用MOS场效应晶体管 P-通道 MOS FET 高速开关 直接驱动3V电源IC 不必考虑驱动电流，因为它的高输入阻抗 能够减少部件的数量通过省去偏置电阻 对管是2SK1399

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SJ185
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