Please log in first
Home
Cart0
Inventory:91650 Min Order：10
Parameters
Related model

×

Parameters：

  • Model：2SJ204
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+21R08+nopb 08+ROHS8RM
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：H15
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		 -30V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		 20V
最大漏极电流Id
Drain Current		 -200mA/-0.2A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		 6Ω @-1A,-10V
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		 -1.4--2.4V
耗散功率Pd
Power Dissipation		 200mW/0.2W
Description & Applications MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR P-CHANNEL MOS FET FOR SWITCHING Directly driven by ICs having a 5V power supply Has low on-state resistance
描述与应用 MOS场效应晶体管 P沟道MOS FET用于开关 直接驱动5V电源IC 具有低导通电阻

×

Online inquiry：

* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SJ204
*Title：
Message：
*Code：