Home
Cart0
Inventory:0 Min Order：10
Parameters
Related model

×

Parameters：

  • Model：2SK1332
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：V3
  • Package：SOT-323/SC70

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		30v
栅源极击穿电压V(BR)GS
Gate-Source Voltage		 -30v
漏极电流(Vgs=0V)IDSS
Drain Current		0.2~0.45ma
关断电压Vgs(off)
Gate-Source Cut-off Voltage		 -0.1~1v
耗散功率Pd
Power Dissipation		80mw
Description & Applications•N-CHANNEL SILICON JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR •Compact package • High forward transfer admittance 1000 µS TYP. (IDSS = 100 µA) 1600 µS TYP. (IDSS = 200 µA) • Includes diode and high resistance at G - S
描述与应用•N沟道硅结型场效应晶体管 •小型封装 •高正向转移导纳 1000μs典型值。 （IDSS= 100μA） 1600μs典型值。 （IDSS= 200μA） •包括二极管和高阻力在G ​​- S

×

Online inquiry：

* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK1332
*Title：
Message：
*Code：