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Inventory:2900 Min Order：10
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  • Model：2SK1579
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+
  • Standard Package：1000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：DY
  • Package：SOT-89/UPAK

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage12V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage7V
最大漏极电流Id Drain Current2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.25Ω/Ohm @1A,4V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.4-1.4V
耗散功率Pd Power Dissipation1W
Description & ApplicationsSilicon N Channel MOS FET High speed power switching Features High speed power switching Low on-resistance High speed switching Suitable for low voltage operation
描述与应用硅N沟道MOS FET 高速功率开关 特性 高速功率开关 低导通电阻 高速开关 适用于低电压操作

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK1579
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