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  • Model：2SK1764KY
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：04+1rnopb 04+NOPB
  • Standard Package：1000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：KY
  • Package：SOT-89/UPAK

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.3Ω/Ohm @1A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1-2V
耗散功率Pd Power Dissipation1W
Description & ApplicationsTOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON A CHANNEL MOS TYPE Features Silicon N-Channel MOS FET Low frequency amplifier application High speed switching application Low on-resistance High speed switching 4 V Gate drive device can be driven from 5 V source Suitable for switching regulator, DC-DC converter
描述与应用N沟道增强型 特性 硅N沟道MOS FET 低频放大器中的应用 高速开关应用 低导通电阻 高速开关 4 V栅极驱动器可驱动5 V源 合适的开关稳压器，DC-DC转换

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK1764KY
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