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Inventory:400 Min Order：10
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  • Model：2SK2159
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+1rnopb 05+
  • Standard Package：1000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：NW
  • Package：SOT-89/SC-62

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage14V
最大漏极电流Id Drain Current2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.27Ω/Ohm @1A,2.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.5-1.1V
耗散功率Pd Power Dissipation2W
Description & ApplicationsMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING The 2SK2158 is an N-channel vertical type MOS FET featuring an operating voltage as low as 1.5 V. Because it can be driven on a low voltage and it is not necessary to consider driving current, the 2SK2158 is suitable for use in low-voltage portable systems such as headphone stereo sets and camcorders. Features N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING Capable of drive gate with 1.5 V Small RDS(on)
描述与应用MOS场效应晶体管 N沟道MOS FET 高速开关 2SK2158是一个N沟道垂直型MOS场效应管，具有工作电压低至1.5 V。由于它可以 一个低电压驱动，这是没有必要的，以考虑 2SK2158是驱动电流，适合用于在低电压 立体声耳机套和摄像机等便携式系统。 特性 N沟道MOS FET高速开关 能够用1.5 V驱动门 小的RDS（on）

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK2159
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