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Inventory:1085 Min Order：10
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  • Model：2SK2315
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+NOPB 05+
  • Standard Package：1000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：TY
  • Package：SOT-89/UPAK

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.35Ω/Ohm @1A,4V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.5-1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation1W
Description & ApplicationsSilicon N-Channel MOS FET High speed power switching Features Silicon N-Channel MOS FET High speed power switching application Low on-resistance High speed switching Low drive current 2.5 V gate drive device can be driven from 3 V source Suitable for DC-DC converter, motor drive, power switch, solenoid drive
描述与应用N沟道MOS FET 高速功率开关 特性 硅N沟道MOS FET 高速功率开关应用 低导通电阻 高速开关 低驱动电流 2.5 V栅极驱动器可驱动从3 V源 适用于DC-DC转换器，电机驱动，电源开关，螺线管驱动

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK2315
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