Home
Cart0
Inventory:0 Min Order：10
Parameters
Related model

×

Parameters：

  • Model：2SK2615
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：12+ 04+
  • Standard Package：1000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：ZA
  • Package：SOT-89/PW-Mini

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.23Ω/Ohm @1A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.8-2.0V
耗散功率Pd Power Dissipation500mW/0.5W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (L2−π−MOSV) DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications Features Silicon N Channel MOS Type DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications Low drain−source ON resistance : RDS (ON) = 0.23 Ω (typ.) High forward transfer admittance : |Yfs| = 2.0 S (typ.) Low leakage current : IDSS = 100 µA (max) (VDS = 60 V) Enhancement−mode
描述与应用东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS型（L2-π-MOSV） DC-DC转换器，继电器驱动和电机驱动应用 特性 硅N沟道MOS型 DC-DC转换器，继电器驱动和电机驱动 应用 低漏源导通电阻RDS（ON）= 0.23Ω（典型值） 高正向转移导纳：| YFS|=2.0 S（典型值） 低漏电流：IDSS=100μA（最大值）（VDS=60 V） 增强型

×

Online inquiry：

* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK2615
*Title：
Message：
*Code：