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Inventory:7259 Min Order：10
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  • Model：2SK3000
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：06+nopb 05+ROHS
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：ZY
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage40V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage10V
最大漏极电流Id Drain Current1A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.25Ω/Ohm @450mA,4V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1.1-2.1V
耗散功率Pd Power Dissipation400mW/0.4W
Description & ApplicationsSilicon N Channel MOS FET Low Frequency Power Switching Features Silicon N Channel MOS FET Low Frequency Power Switching Low on-resistance RDS(on)= 0.25Ω (VGS= 10 V, ID = 450 mA) 4V gate drive devices Small package (MPAK) Expansive drain to source surge power capability
描述与应用硅N沟道MOS FET 低频电源开关 特性 硅N沟道MOS FET 低频电源开关 低导通电阻 RDS（ON）=0.25Ω（VGS= 10 V，ID=450毫安） 4V栅极驱动装置 小型封装（MPAK） 膨胀漏源浪涌功率能力

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK3000
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