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Inventory:9100 Min Order：10
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  • Model：2SK3119
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：6RNOPB 05+
  • Standard Package：1000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：KS
  • Package：SOT-89/SC-62/PCP

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage10V
最大漏极电流Id Drain Current2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.2Ω/Ohm @1A,4V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.4-1.3V
耗散功率Pd Power Dissipation3.5W
Description & ApplicationsN-Channel Silicon MOSFET Ultrahigh-Speed Switching Applications Features N-Channel Silicon MOSFET Ultrahigh-Speed Switching Applications Low ON resistance Ultrahigh-speed switching 2.5V drive
描述与应用N-沟道硅MOSFET 超高速开关应用 特性 N-沟道硅MOSFET 超高速开关应用 低导通电阻 超高速开关 2.5V驱动

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK3119
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