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Inventory:17000 Min Order：10
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  • Model：2SK3230B
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+1RNOPB 05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：CE
  • Package：SOT-523/SC-75/USM

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		20v
栅源极击穿电压V(BR)GS
Gate-Source Voltage		 -20v
漏极电流(Vgs=0V)IDSS
Drain Current		0.09~0.18ma
关断电压Vgs(off)
Gate-Source Cut-off Voltage		 -0.37~-1v
耗散功率Pd
Power Dissipation		100mW/0.1W
Description & Applications•N-CHANNEL SILICON JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR FEATURES • Low noise: −108.5 dB TYP. (VDD = 2.0 V, C = 5 pF, RL = 2.2 kΩ) • Especially suitable for audio and telephone • Small package: SC-89 (TUSM)
描述与应用•N沟道硅结型场效应晶体管 特点 •低噪音： -108.5 dB（典型值）。 （VDD= 2.0 V，C= 5 pF的，RL=2.2kΩ上） •特别适用于音频和电话 •小型封装：  SC89（TUSM）

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK3230B
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