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Inventory:600 Min Order：10
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  • Model：2SK3378
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：EN
  • Package：SOT-323/SC-70

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current100mA/0.1A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance2.7Ω/Ohm @50mA,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1.3-2.3V
耗散功率Pd Power Dissipation300mW/0.3W
Description & ApplicationsSilicon N Channel MOS FET High Speed Switching Features Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching Low on-resistance RDS=2.7 Ω typ. (VGS= 10 V , ID = 50 mA) RDS= 4.7 Ω typ. (VGS= 4 V , ID = 20 mA) 4 V gate drive device Small package (CMPAK)
描述与应用硅N沟道MOS FET 高速开关 特性 硅N沟道MOS FET 高速开关 低导通电阻 RDS=2.7Ω典型值（VGS=10V，ID=50 mA时） RDS=4.7Ω（典型值）（VGS=4 V，ID=20毫安） 4 V栅极驱动装置 小型封装（CMPAK）

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK3378
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