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Inventory:690 Min Order：10
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  • Model：2SK3475
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：12+ROHS 05+
  • Standard Package：1000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：wb
  • Package：SOT-89/PW-Mini

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage5V
最大漏极电流Id Drain Current1A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1.9-2.9V
耗散功率Pd Power Dissipation3W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type VHF- and UHF-band Amplifier Applications Features Silicon N Channel MOS Type VHF- and UHF-band Amplifier Applications Output power: PO = 630 mW (min) Gain: GP = 14.9dB (min) Drain efficiency: ηD = 45% (min)
描述与应用东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型 VHF和UHF频段放大器的应用 特性 硅N沟道MOS型 VHF和UHF频段放大器的应用 输出功率：PO= 630毫瓦（最小） 增益：GP=14.9分贝（分） 漏极效率：ηD=45％（分钟）

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK3475
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