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  • Model：2SK360IGFTL-E
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：07+ROHS
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：IGF
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage5V
最大漏极电流Id Drain Current30mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0-2V
耗散功率Pd Power Dissipation150mW/0.15W
Description & ApplicationsSilicon N-Channel MOS FET VHF amplifier Features Silicon N-Channel MOS FET VHF amplifier
描述与应用硅N沟道MOS场效应管高频放大器 特性 硅N沟道MOS FET VHF放大器

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK360IGFTL-E
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