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Inventory:13450 Min Order：10
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  • Model：2SK386209L(2SK38620TL)
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：04NOPB 04+ROHS
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：5D
  • Package：SOT-523

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		20v
栅源极击穿电压V(BR)GS
Gate-Source Voltage		 -20v
漏极电流(Vgs=0V)IDSS
Drain Current		0.18~0.315ma
关断电压Vgs(off)
Gate-Source Cut-off Voltage
耗散功率Pd
Power Dissipation		100mW/0.1W
Description & Applications•Silicon N-channel junction FET •For impedance conversion in low frequency •For electret capacitor microphone Features Low noise voltage NV High voltage gain GV Thin package : TSSSMini3-F1 (1.2 mm × 1.2 mm × 0.33 mm)
描述与应用•硅N沟道结型场效应管 •对于低频阻抗转换中 •对于驻极体电容式麦克风 特点 低噪声电压NV 高电压增益GV TSSSMini3 F1 薄的包装：（1.2毫米×1.2毫米×0.33毫米）

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK386209L(2SK38620TL)
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