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Inventory:1200 Min Order：10
Parameters
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Parameters：

  • Model：3SK153
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：UI
  • Package：SOT-143/SOT-24/SC-61

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage13.5V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage8V
最大漏极电流Id Drain Current30mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage-1.5-1/-1-1
耗散功率Pd Power Dissipation150mW/0.15W
Description & ApplicationsFeatures SILICON N-CHANNEL DUAL GATE MOS FET TV TUNER VHF MIXER APPLICATIONS VHF WIDE BAND RF AMPLIFIER APPLICATIONS Superior cross modulation performance Low reverse transfer capacitance Low noise figure
描述与应用特性 硅N沟道双栅MOS FET 电视调谐器甚高频混频器应用 甚高频宽频带RF放大器应用 高级交叉调制性能 低反向传输电容 低噪声系数

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
3SK153
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