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Inventory:20600 Min Order：10
Parameters
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  • Model：3SK186FI
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：FI
  • Package：SOT-143/MPAK-4

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage12V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage10V
最大漏极电流Id Drain Current35mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.5--0.8V
耗散功率Pd Power Dissipation100mW/0.1W
Description & ApplicationsSilicon N-Channel Dual Gate MOS FET Features Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF TV tuner RF amplifier
描述与应用硅N沟道双栅MOS FET 特性 硅N沟道双栅MOS FET UHF电视调谐器RF放大器

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
3SK186FI
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