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Inventory:500 Min Order：10
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  • Model：3SK298
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：ZP
  • Package：SOT-343/CMPAK-4/SC70-4

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage12V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage8V
最大漏极电流Id Drain Current25mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0-1.0V
耗散功率Pd Power Dissipation100mW/0.1W
Description & ApplicationsSilicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF / VHF RF amplifier Features •Low noise figure. NF = 2.0 dB typ. at f = 900 MHz •Capable of low voltage operation
描述与应用•低噪声系数。 NF= 2.0 dB（典型值）在f =900 MHz的 •能够低电压操作

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
3SK298
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