Please log in first
Home
Cart0
Inventory:100 Min Order：10
Parameters
Related model

×

Parameters：

  • Model：AP2306GN
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：06+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：N62
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage12V
最大漏极电流Id Drain Current5.3A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.030Ω/Ohm @5.5A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.5V
耗散功率Pd Power Dissipation1.38W
Description & ApplicationsAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination ofastswitching, low on-resistance and cost-effectiveness.
描述与应用高级电源 N沟道增强模式 功率MOSFET 先进的功率MOSFET提供从APEC 设计师与快速切换的最佳组合， 低导通电阻和成本效益

×

Online inquiry：

* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
AP2306GN
*Title：
Message：
*Code：