集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | 30V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 25V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | 500mA/0.5A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 100MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 250~600 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage | 700mV/0.7V |
耗散功率Pc
Power Dissipation | 200mW/0.2W |
| Description & Applications | NPN general purpose transistor FEATURES • High current (max. 500 mA) • Low voltage (max. 45 V). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification. |
| 描述与应用 | NPN通用晶体管 特点 •高电流（最大500毫安） •低电压（最大45 V）。 应用 •通用开关和放大。 |