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  • Model：BF999
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：LB
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage30v
最大漏极电流Id Drain Current
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation200mW/0.2W
Description & ApplicationsSilicon N-Channel MOSFET Triode For high-frequency stages up to 300 MHz preferably in FM applications
描述与应用硅N沟道MOSFET三极管 对于高达300 MHz的高频阶段 最好是在FM应用

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
BF999
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