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Inventory:1790 Min Order：10
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  • Model：BFQ67W
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：06+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：V2
  • Package：SOT-323/SC-70

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)		20V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)		15V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)		50mA
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)		8Ghz
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)		100
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage
耗散功率Pc
Power Dissipation		300mW/0.3W
Description & ApplicationsNPN 8 GHz wideband transistor FEATURES • High power gain • Low noise figure • High transition frequency • Gold metallization ensures excellent reliability • SOT323 envelope. DESCRIPTION NPN transistor in a plastic SOT323 envelope. It is designed for wideband applications such as satellite TV tuners and RF portable communications equipment up to 2 GHz.
描述与应用NPN8 GHz的宽带晶体管 特点 •高功率增益 •低噪声系数 •高转换频率 •黄金金属确保卓越的可靠性 •SOT323信封。 说明 NPN晶体管在一个塑料SOT323信封。它是专为宽带应用，如卫星电视调谐器和射频的便携式通信设备高达2 GHz。

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
BFQ67W
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