Please log in first
Home
Cart0
Inventory:1500 Min Order：10
Parameters
Related model

×

Parameters：

  • Model：CEH2311
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：114R3
  • Package：TSOP-6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		12V
最大漏极电流Id
Drain Current		-3.5A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		97mΩ@ VGS = 2.5V, ID = 3.7A
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-0.6--1V
耗散功率Pd
Power Dissipation		2W
Description & ApplicationsP-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor -20V, -3.5A, RDS(ON)= 85mΩ @VGS = -4.5V RDS(ON)= 130mΩ @VGS = -2.5V High dense cell design for extremely low RDS(ON) Rugged and reliable Lead free product is acquired TSOP-6 package
描述与应用P沟道增强型场效应晶体管 -20V，3.5A，RDS（ON）=85mΩ@ VGS=-4.5V RDS（ON）=130mΩ@ VGS=-2.5V 高密度电池设计极低的RDS（ON） 坚固可靠 无铅产品可用 TSOP-6封装

×

Online inquiry：

* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
CEH2311
*Title：
Message：
*Code：