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Inventory:4066 Min Order：100
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Parameters：

  • Model：ECH8301
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+NOPB2770
  • Standard Package：8000
  • Min Order：100
  • Mark/silk print/code/type：JA
  • Package：ECH8

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		10V
最大漏极电流Id
Drain Current		-8A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		37mΩ@ VGS = -2.5V, ID = -2A
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-0.4~-1.3V
耗散功率Pd
Power Dissipation		1.6W
Description & ApplicationsP-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications Features • Low ON-resistance. • Ultrahigh-speed switcing. • 2.5V drive.
描述与应用P-沟道硅MOSFET 通用开关设备应用 特点 •低导通电阻。 •超高速switcing。 •2.5V驱动。

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
ECH8301
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