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Inventory:300 Min Order：10
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  • Model：FDC6305N
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：305
  • Package：SOT-163/SOT23-6/SSOT-6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		25V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		8V
最大漏极电流Id
Drain Current		2.7A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		120mΩ@ VGS = 2.5V, ID = 2.2A
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		0.4~1.5V
耗散功率Pd
Power Dissipation		960mW/0.96W
Description & ApplicationsDual N-Channel 2.5V Specified Power Trench MOSFET General Description These N-Channel low threshold 2.5V specified MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor's advanced Power Trench process that has been especially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. Applications • Load switch • DC/DC converter • Motor driving Features • Low gate charge (3.5nC typical). • Fast switching speed. • High performance trench technology for extremely low RDS(ON) • SuperSOTTM-6 package: small footprint
描述与应用双N沟道2.5V额定功率沟槽MOSFET 概述 这些沟道低阈值2.5V指定的MOSFET采用飞兆半导体先进的功率沟槽进程，已特别是针对减少通态电阻，但维持出色的开关性能低栅极电荷。 应用 •负荷开关 •DC/ DC转换器 •电机驱动 特点 •低栅极电荷（3.5nC典型值）。 •快速开关速度。 •高性能沟道技术极低的RDS（ON） •SuperSOTTM-6包装：占地面积小

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
FDC6305N
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