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  • Model：FDG328P
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：0450NOPB 04NOPB
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：28
  • Package：SOT-363/SC70-6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		-12V
最大漏极电流Id
Drain Current		-1.5A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		210mΩ@ VGS = -2.5V, ID = -1.2A
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-0.6~-1.5V
耗散功率Pd
Power Dissipation		750mW/0.75W
Description & Applications20V N-Channel Power Trench MOSFET General Description This P-Channel 2.5V specified MOSFET is produced in a rugged gate version of Fairchild Semiconductor’s advanced Power Trench process. It has been optimized for power management applications for a wide range of gate drive voltages (2.5V – 12V). Applications • Load switch • Power management • DC/DC converter Features Low gate charge High performance trench technology for extremely low RDS(ON) Compact industry standard SC70-6 surface mount package
描述与应用20V N沟道功率沟槽MOSFET 概述 此P沟道2.5V指定的MOSFET的生产在一个坚固的门版本飞兆半导体先进的功率沟槽过程。它已被优化的栅极驱动电压（2.5V - 12V），适用范围广的电源管理应用。 应用 •负荷开关 •电源管理 •DC/ DC转换器 特点 低栅极电荷 高性能沟道技术极低的RDS（ON） 紧凑型工业标准SC70-6表面贴装封装

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
FDG328P
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