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Inventory:82950 Min Order：10
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  • Model：FDN336P
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：07+ 05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：336
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		±8V
最大漏极电流Id
Drain Current		-1.3A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		0.12Ω @-1.3A,-4.5V
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-0.4~1.5V
耗散功率Pd
Power Dissipation		500mW/0.5W
Description & ApplicationsSingle P-Channel 2.5V Specified Power Trench MOSFET . * -1.3 A, -20 V. RDS(ON)= 0.20 W @ VGS = -4.5 V RDS(ON) = 0.27 W @ VGS= -2.5 V. * Low gate charge (3.6 nC typical). * High performance trench technology for extremely low RDS(ON)..
描述与应用单P沟道2.5V额定功率沟槽MOSFET。 *-1.3 A，​​-20 V. RDS（ON）= 0.20 W @ VGS=-4.5 V                       RDS（ON）=0.27 W@ VGS= -2.5 V。 *低栅极电荷（3.6 nC典型）。 *高性能沟道技术极低的RDS（ON）

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* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
FDN336P
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