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Inventory:210 Min Order：10
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  • Model：FDT457N
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：2500
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：457
  • Package：SOT-223/SC-73/TO261-4

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30v
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.06Ω/Ohm 5A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1-3V
耗散功率Pd Power Dissipation3W
Description & Applications60V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. This MOSFET features very low RDS(ON) in a small SOT23 footprint. Fairchild’s PowerTrench technology provides faster switching than other MOSFETs with comparable RDS(ON) specifications. The result is higher overall efficiency with less board space. High density cell design for extremely low RDS(ON) .High power and current handling capability in a widely used surface mount package.
描述与应用60V N-沟道PowerTrench MOSFET 概述 此N沟道MOSFET已专门设计 以提高整体效率的DC / DC转换器的使用 同步或传统开关PWM控制器。 在一个小SOT23 MOSFET具有非常低的RDS（ON） 足迹。飞兆半导体的PowerTrench技术提供了更快的开关速度比其他的MOSFET具有可比性 RDS（ON）规格。其结果是更少的电路板空间与更高的整体效率。 高密度电池设计极低的RDS（ON）一种广泛使用的高功率和电流处理能力表面贴装封装

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
FDT457N
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