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Inventory:6445 Min Order：10
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Parameters：

  • Model：FSB660A
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：10nopb 05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：660A
  • Package：SOT-23/SC-59

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)		-60V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)		−60V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)		-2A
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)		75MHz
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)		250~550
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage		-300mV/-0.3V
耗散功率Pc
PoWer Dissipation		500mW/0.5W
Description & ApplicationsPNP Low Saturation Transistor These devices are designed with high current gain and low saturation voltage with collector currents up to 2A continuous.
描述与应用低饱和PNP晶体管 这些设备的设计与高电流增益和低饱和电压与集电极电流高达2A的连续。

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* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
FSB660A
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