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  • Model：H5N2004DSTL
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：5N2004
  • Package：TO-252/D-PAK

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage200V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage30v
最大漏极电流Id Drain Current8A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.48Ω/Ohm @4A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage3.0-4.5V
耗散功率Pd Power Dissipation30W
Description & Applications• Low on-resistance: R DS (on) = 0.38 Ω typ. • Low leakage current: IDSS = 1 µA max (at VDS = 200 V) • High speed switching: tf = 10 ns typ (at VGS = 10 V, VDD = 100 V, ID = 4 A) • Low gate charge: Qg = 14 nC typ (at VDD = 160 V, VGS = 10 V, ID = 8 • Avalanche ratings
描述与应用•低导通电阻R DS（ON）=0.38Ω（典型值）。 •低漏电流：IDSS= 1μA最大（VDS= 200 V） •高速开关：TF =10 ns（典型值）（VGS=10 V，VDD= 100 V，ID= 4 A） •低栅极电荷QG =14 NC（典型值）（VDD= 160 V，VGS=10V，ID= 8 A） •雪崩额定值

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
H5N2004DSTL
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