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Inventory:20 Min Order：10
Parameters
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Parameters：

  • Model：HAT2160H
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：2500
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：
  • Package：LFPAK

Drain-Source Voltage （Vds）  20V

Vgs(±)

Gate-Source Voltage

  20V
Drain Current （Id）  60A
Drain-Source On-State （Rds）  ID = 30 A, VGS = 10 V  RDS=2.1~2.6mΩ
ID = 30 A, VGS = 4.5 V RDS=2.8~4.1mΩ

Vgs （th）

Gate-Source Threshold Voltage

  
Power dissipation （Pd）  30W
Description & Applications  Silicon N Channel Power MOS FET 
Power Switching
• Capable of 4.5 V gate drive 
• Low drive currt en
• High density mounting 
• Low on-resistance 
RDS(on) = 2.1 mΩ typ. (at VGS = 10 V) 
 

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
HAT2160H
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