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Inventory:19800 Min Order：10
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  • Model：HMBT1015-G
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：A4G
  • Package：SOT-23/SC-59

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)		-50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)		−50V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)		−150mA/-0.15A
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)		 80MHz
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)		200~400
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage		-300mV/-0.3V
耗散功率Pc
PoWer Dissipation		225mW/0.225W
Description & ApplicationsPNP epitaxial planar transistor Description The HMBT1015 is designed for use in driver stage of AF amplifier and general purpose amplification.
描述与应用PNP外延平面晶体管 描述 HMBT1015被设计用于在驱动级的AF放大器和通用放大。

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
HMBT1015-G
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