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Inventory:3278 Min Order：10
Parameters
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Parameters：

  • Model：IRLML5103TR
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+NOPB2200
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：1D/D
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		20V
最大漏极电流Id
Drain Current		-760mA/-0.76A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		0.60Ω @-600mA,-10V
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-1.0V
耗散功率Pd
Power Dissipation		540mW/0.54W
Description & ApplicationsHEXFET POWER MOSFET dynamic avalanche rated surface mount straight lead available in tape&reel p-channel fast switching
描述与应用HEXFET功率MOSFET 动态额定雪崩 表面贴装 直导致 可在磁带和卷轴 p-沟道 快速切换

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* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
IRLML5103TR
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