Home
Cart0
Inventory:0 Min Order：10
Parameters
Related model

×

Parameters：

  • Model：IRLR8103VTR
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：LR8103V
  • Package：TO-252/D-PAK

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current9.1A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance6.9Ω/Ohm @15A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1.0-3.0V
耗散功率Pd Power Dissipation115W
Description & Applications• N-Channel Application-Specific MOSFETs • Ideal for CPU Core DC-DC Converters • Low Conduction Losses • Low Switching Losses • Minimizes Parallel MOSFETs for high current a pplications • 100% RG Tested • Lead-Free
描述与应用HEXFET功率MOSFET 高频同步降压 计算机处理器电源转换器 高频隔离DC-DC 同步整流转换器 电信和工业应用 •N沟道特定应用的MOSFET •非常适于CPU核心DC-DC转换器 •低传导损耗 •低开关损耗 •最大限度地减少并行 MOSFET的大电流 应用程序 •100％的Rg测试 •无铅

×

Online inquiry：

* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
IRLR8103VTR
*Title：
Message：
*Code：