Please log in first
Home
Cart0
Inventory:1600 Min Order：10
Parameters
Related model

×

Parameters：

  • Model：MGSF3433VT1
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：3T
  • Package：SOT-163/SOT23-6/TSOP-6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		8V
最大漏极电流Id
Drain Current		-5.6A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		34mΩ@ VGS = -4.5V, ID = -5.6A
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-0.45V~-0.85V
耗散功率Pd
Power Dissipation		2W
Description & ApplicationsP-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
描述与应用P沟道1.8-V（G-S）的MOSFET

×

Online inquiry：

* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
MGSF3433VT1
*Title：
Message：
*Code：