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Inventory:21550 Min Order：10
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Parameters：

  • Model：MMBF170LT1
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：03+ 03+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：6Z
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current500mA/0.5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.05Ω/Ohm @200mA,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.8-3.0V
耗散功率Pd Power Dissipation225mW/0.225W
Description & ApplicationsN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features •AEC Q101 Qualified − MVBF170LT1 •These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant
描述与应用功率MOSFET 500毫安，60 V N沟道SOT-23 AEC Q101标准 - MVBF170LT1 •这些器件是无铅，符合RoHS标准

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
MMBF170LT1
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