Home
Cart0
Inventory:0 Min Order：10
Parameters
Related model

×

Parameters：

  • Model：MMBT5551LT
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：G1
  • Package：SOT-23/SC-59

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)		180V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)		160V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)		600mA/0.6A
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)		20~250
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage		150mV~250mV
耗散功率Pc
Power Dissipation		225mW/0.225W
Description & ApplicationsHigh Voltage Transistors NPN Silicon • Pb−Free Packages are Available
描述与应用高电压晶体管 NPN硅 无铅包可用

×

Online inquiry：

* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
MMBT5551LT
*Title：
Message：
*Code：